使用臭氧和HF酸对硅晶圆的整个表面进行基体蚀刻的设备。
利用气体进行蚀刻，晶圆表面不产生水滴。
在蚀刻过程中，晶圆中的污染物不会转移到其它地方。
在无尘室内使用的独立型设备。
虽然对整面进行蚀刻，但是也可以通过映射采样进行局部评价。
晶片的设置虽然是手工操作，但是蚀刻设备通过电脑进行控制，操作简单。
| 设备名称 | BEM-310 | |||||||
| 处理晶圆规格 | 200mm、300mm | |||||||
| 操作控制 | 设备自带电脑 | |||||||
| 基体蚀刻功能 | 〇 | |||||||
| 采样回收率 | ±10%以内 | |||||||
| 蚀刻后的平坦度 | ±10%以内 | |||||||
| 外形尺寸(WxDxH)(mm)(※1) | 1000×1300×2000 | |||||||
| 重量 | 约150kg | |||||||
| 排放需求 | 排酸液、一般排气、排酸气 | |||||||
| 所需外部资源 | 电源(AC100V，200V)、纯水、O2、N2、HF | |||||||
